二维码
微世推网

扫一扫关注

您所在的位置:微世推网>供应市场>电器设备_电子>SiC模块在电子电子应用中全面取代IGBT模块

武汉市芯火元科技有限公司

基本半导体SiC碳化硅MOSFET|船用电驱系统SiC碳化硅功率模块|基本半导体SiC模块驱动板|基本半导体汽车级碳化硅SiC模块|基本半…

企业会员

企业会员

SiC模块在电子电子应用中全面取代IGBT模块

产品价格询价

产品品牌未填

最小起订≥1

供货总量100

企业旺铺http://xinhuoyuan.udxd.com/

更新日期2024-10-31 13:57

收藏商品 扫一扫 举报

诚信档案

武汉市芯火元科技有限公司

会员级别:企业会员

身份认证:

我的勋章: [诚信档案]

在线客服:    

企业二维码: 企业名称加二维码 武汉市芯火元科技有限公司

企业名片

武汉市芯火元科技有限公司

联 系  人:叶飞(先生) SiC碳化硅MOSFET业务总监 

联系手机:13410337175

联系固话:13410337175

联系地址:武汉市东湖新技术开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦

【友情提示】:来电请说明在微世推网看到我们的,谢谢!

商品信息

基本参数

品牌:

未填

所在地:

湖北 武汉市

起订:

≥1

供货总量:

100

有效期至:

长期有效
详细说明

国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!

基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块,基本SiC模块替代三菱IPM模块,基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块,基本SiC模块替代赛米控丹佛斯功率模块,基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块!

使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统!-武汉芯火元科技*分销

使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT变流器,实现更高的变流效率,更小的变流体积重量!更低的变流成本!


随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点,使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!武汉芯火元科技*分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET!武汉芯火元科技全力推进基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT!


武汉芯火元科技致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT,全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!武汉芯火元科技 is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!


武汉芯火元科技*分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H,IMYH200R075M1H,IMYH200R050M1H,IMYH200R024M1H,IMYH200R012M1H,DF4-19MR20W3M1HF_B11,FF4MR20KM1HP,FF3MR20KM1H,FF5MR20KM1HP,FF5MR20KM1H,FF4MR20KM1H,FF3MR20KM1HP。


基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代Infineon英飞凌FF900R12ME7W_B11,FF900R17ME7W_B11,FF450R12KT4,FF600R12ME4_B72,FF750R12ME7_B11,FF900R12ME7P_B11,IFF600B12ME4_B11,FF600R12KE4


基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代赛米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,SK40MB120CR03TE1,SKKE60S12,SK80MB120CR03TE1,SK150MB120CR03TE2,SK200MB120CR03TE2,SKM125KD12SC,SK250MB120CR03TE2V1,SK250MB120CR03TE2,SKM350MB120SCH15,SKM350MB120SCH17,SKM500MB120SC,SKM260MB170SCH17


基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模块兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50,2MBI450XHA120-50,2MBI450XNA120-50,2MBI600XNG120-50,2MBI800XNE120-50,2MBI1000XRNE120-50,2MBI450XNA170-50,2MBI600XNG170-50,2MBI800XRNE170-50,2CSI300DAHE120-50,2CSI450DAHE120-50,2CSI600DAHE120-50,2CSI200DAHE170-50,2CSI300DAHE170-50,2CSI400DAHE170-50


武汉芯火元科技致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™国产碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电力电子市场的推广!武汉芯火元科技-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!


武汉芯火元科技致力于SiC模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块,SiC单管在电力电子应用中全面取代IGBT单管,650V SiC碳化硅MOSFET在电源应用中全面取代Super Junction超结MOSFET!


国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统,1500V系统大组串SiC光伏逆变器,1500V系统储能变流器PCS,1500V系统固态断路器,固态变压器等。


大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案,控制复杂,频率低,采用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET进行两电平改造,控制简单可靠,频率提升,电感成本降低,MPPT部分提升效率,降低成本。


IGBT芯片技术不断发展,但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗,从而提高开关频率。进一步的,可以优化滤波器组件,相应的损耗会下降,从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块,与同样封装的Si IGBT模块相比,功率损耗可以降低约70%左右,可以将开关频率提5倍(实现显著的滤波器优化),同时保持zui高结温低于zui大规定值。


未来随着设备和工艺能力的推进,更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向,体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。

为此,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗,以及更高可靠性等优越性能,可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。


为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。

针对新能源汽车的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。

B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的zui新产品,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块,产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块,主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。

BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件采购商-基本公司™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,可*可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通,还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。


为了保持电力电子系统竞争优势,同时也为了使zui终用户获得经济效益,一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈,加上SiC MOSFET*成本持续下降,使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。


武汉芯火元科技*分销基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™单管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™I型三电平IGBT模块,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模块,BASiC基本™混合SiC-IGBT单管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模块,碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011R,BASiC基本™混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器,热管理电动压缩机驱动器,射频电源,PET电力电子变压器,氢燃料空压机驱动,商用空调PFC,大功率工业电源,工商业储能变流器,变频器,*电源,高频逆变焊机,高频伺服驱动,AI服务器电源,算力电源,数据中心电源,机房UPS等领域与客户战略合作,武汉芯火元科技全力支持中国电力电子工业发展!

武汉市芯火元科技有限公司推荐商品

更多»

其他商品

更多»

全网相似产品推荐

换一批

热门搜索

还没找到您需要的电器设备_电子产品?立即发布您的求购意向,让电器设备_电子公司主动与您联系!

立即发布求购意向

免责声明

武汉市芯火元科技有限公司为你提供的“SiC模块在电子电子应用中全面取代IGBT模块”详细介绍,包括电器设备_电子价格、型号、图片、厂家等信息。如有需要,请拨打电话:13410337175。
微世推网仅提供展示服务,信息由发布人自行提供,其真实性、合法性由发布人负责。交易汇款需谨慎,请注意调查核实。本平台对此不承担任何责任。

联系方式

在您的合法权益受到侵害时,欢迎您向weilaitui@qq.com邮箱发送邮件,或者进入《网站意见反馈》了解投诉处理流程,我们将竭诚为您服务,感谢您对微世推网的关注与支持!

按排行字母分类:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
您可能还感兴趣:

防爆型露点仪 FR-A840-00250-2-60成都三菱变频器代理 SiC模块在电子电子应用中全面取代IGBT模块 烧结银胶成为功率模块封装新宠 单道注射泵LD-P2020 西门子6ES7954-8LP03-0AA0 西门子6ES7954-8LL03-0AA0 西门子6ES7288-1CR60-0AA0 中频胃肠治疗仪DJ-R9型 四通道16组输出 气压弹道式体外冲击波治疗仪(国产)

Copyright©2015-2023 粤公网安备 44030702000869号

粤ICP备16078936号

微信

关注
微信

微信二维码

WAP二维码

客服

联系
客服

联系客服:

24在线QQ: 770665880

客服电话: 020-82301567

E_mail邮箱: weilaitui@qq.com

微信公众号: weishitui

韩瑞 小英 张泽

工作时间:

周一至周五: 08:00 - 24:00

反馈

用户
反馈