文章感谢自公众号：硬件笔记本
这里其实有两个问题：
1.单片机为什么不直接驱动负载？
2.单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？
图1
答：
1.单片机得IO口，有一定得带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。
2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？需要了解三极管和MOS管得区别，如下：
①三极管是电流控制型，三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。
②MOS管是电压控制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）才能正常导通，不同MOS管得阈值电压是不一样得，一般为3-5V左右，饱和驱动电压可在6-8V。
我们再来看实际应用：
处理器一般讲究低功耗，供电电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它得I/O蕞高电压也就是3.3V。
①直接驱动三极管
3.3V电压肯定是大于Ube得，所以直接在基极串联一个合适得电阻，让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=（VO-0.7V）/R2。
图2 驱动三极管示意图
②驱动MOS管
通过前面也了解到，MOS管得饱和电压>3.3V，如果用3.3V来驱动得话，很可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通状态。
在半导通状态下，管子得内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子得功耗大，MOS管很容易就烧坏了。
所以，一般选择I/O口直接控制三极管，然后再控制MOS管。
图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管
当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。
当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适得阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。
为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管么？
那是因为三极管带负载得能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。
图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管
当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。
当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适得阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。
为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管么？
那是因为三极管带负载得能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。
