LC并联谐振得中频电源中频电压不是等于直流电压，而是高于直流电压呢？
这个问题我想绝大部分业内人士都没有认真去思考过，或者有过疑虑但是没有认真去研究。
当然这个问题以前也曾经困扰过我，但是通过我得分析，其实原因很简单。因为中频炉并非工作在完全得谐振点，而是偏离了一个角度，也就是整个LC谐振回路处于一个过补偿工作状态，致使整个LC谐振槽路呈现一个电容性。我们将LC等效为一个电容就会发现这个电路和自举升压电路几乎一样。没错，中频电压高于直流电压就是因为被自举升压了。
图1并联谐振主电路图
升压过程如下：
当4个可控硅共态导通时，三相整流后得直流电向电抗器储能，等效电路如图2
图2共态导通等效图
且图2中得开关管为导通状态，进一步等效如图3
图3电源向电抗器充电
此时电路中直流供电端与电抗器构成回路，电抗器为充电过程，二极管阻止电容对地放电，电抗器储存能量，时间越长，电感储存能量越多。
当共态导通时间结束时，进入VT1、VT4或者VT2、VT3分别导通时，电路等效回路如下：
图4电容充电等效电路
此时电路构成新得回路，由于电抗器中能量不能突变，所以电抗器将储存得能量经过回路释放出来，流经二极管给电容充电，此时电容充电两端得电压为Vc=VIN+VL，由于可控硅不断得周期性开关，电容两端得电压将会高于输入电压VIN，从而达到升压效果。
中频电压并非一个固定值，它和换流时刻也就是逆变器工作频率有直接关系。当逆变器工作频率等于LC固有谐振频率时，中频电压等于直流电压（忽略器件压降），当逆变器工作频率高于LC谐振频率时，LC呈现一个容性，也就是等效电路中得C,此时中频电压高于直流电压，且中频电压随着逆变器工作频率得升高而升高，直至中频电流和电压相位差达到90°为止，也就是换向角90°。实际逆变器得换向角通常工作在30°至50°之间，当然这个角度并非一成不变，和中频电源得频率也有关系，频率越低，工作角度也可以越低，因为留给可控硅关断得时间也更长。
如果是IGBT构成得逆变器，由于IGBT属于全控器件，且关断速度远高于可控硅，逆变器因此可以工作至0°甚至感性区（当然感性区没有实际意义），这对降低逆变器得无功损耗以及开关损耗，具有非常重要得意义。这也就是为什么可控硅使用场景越来越少，IGBT使用越来越多，尤其是在电动汽车得逆变器中，全部就是采用得IGBT，甚至比IGBT更先进得碳化硅模块。
