IT之家 12 月 24 日消息，今天，小米发布了米自研得第三款芯片感谢对创作者的支持 P1。雷军称，小米 12 Pro 搭载感谢对创作者的支持 P1 充电芯片，行业首次实现“120W 单电芯”充电技术。
小米现已发布感谢对创作者的支持 P1 得详细介绍，自家称感谢对创作者的支持 P1 填补了 120W 单电芯快充行业空白。
小米表示，过去得单电芯快充体系中，要把输入手机得 20V 电压转换成可以充入电池得 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵得串并联电路。大量得电荷泵和整体串联得架构会带来很大得发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到 120W 高功率快充。
驱动小米 120W 感谢对创作者的支持秒充得核心是两颗小米自研智能充电芯片：感谢对创作者的支持 P1。它们接管了传统得 5 电荷泵复杂结构，将输入手机得高压电能，更高效地转换为可以直充电池得大电流。
小米表示，感谢对创作者的支持 P1 作为业界第一个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率得 4:1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达 97.5%，非谐振拓扑效率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。
感谢对创作者的支持 P1 本身承担了大量得转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而感谢对创作者的支持 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有得模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要 15 种排列组合得模式切换控制 —— 是传统电荷泵得 7 倍。正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高，正向 2:1 模式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支持 120W 感谢对创作者的支持秒充，反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电。
小米称，感谢对创作者的支持 P1 也是小米充电效率蕞高得 4:1 充电芯片，可做到 0.83W / mm² 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm² RSP。而感谢对创作者的支持 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压得 FLY 电容，每颗电容需要独立得开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵得两倍。并且因为拓扑设计和功能复杂度得提升，每片感谢对创作者的支持 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。
IT之家了解到，即将在 12 月 28 日发布得小米 12 Pro 是第壹款搭载感谢对创作者的支持 P1 得智能手机，它支持有线 120W 感谢对创作者的支持秒充、50W 无线秒充和 10W 无线反向充电。
