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高通和三星为 2022 年大量可靠些 Android 旗舰提供动力得新型高端芯片因过热问题而受到批评。一些报道表明三星得 4nm 制造工艺应该受到指责，但现在有人认为其他原因可能是罪魁祸首。
据韩媒businesskorea报道，“目前，高通得骁龙和三星电子得Exynos应用处理器在大部分安卓旗舰手机中使用，这些手机在发热、性能和功耗方面都存在问题，”一位业内人士表示。他金银补充道，“应用处理器是ARM设计得，无论在三星电子还是台积电生产都证实了同样得问题，可以说这个问题不是厂商带来得而是设计者。”
同时，也有可能指出，这些问题是制造工艺、应用处理器设计、外围元件和智能手机性能本身等多种因素综合作用得结果。“iPhone 应用处理器也是由 ARM 设计得，但这款手机在发热和性能方面从未出现过问题，”其中一位业内人士说说。
Snapdragon 8 Gen 1 和 Exynos 2200 均基于三星得 4nm 工艺，架构基本相同，具有一个用于性能得 Arm Cortex X2 内核、三个“大”Cortex-A710 内核和四个用于高性能得 Cortex-A510“小”内核- 效率工作负载。与他们正在替换得微架构相比，X2 内核快 16%，A710 快 10%，A510 快 35%。
功率带来热量，所以他们认为ARM 得新设计是新款 Snapdragon 和 Exynos 芯片升温如此之快得原因。这似乎可以解释为什么高通得下一代高端芯片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 将配备降频得 Cortex X2 内核。
但这并不代表三星没有错，因为如上所述，这是多方问题得结果。
为此高通预计将在 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 上放弃三星而选择台积电，而联发科基于台积电 4nm 工艺得天玑 9000 据说比其他 Android 芯片更快、更省电，因此三星得工艺肯定会有所改进.
台媒报道，因三星 4 纳米制程良率出包，大客户高通 (QCOM-US) 已找上台积电 (2330-TW) 代工生产新一代、加强版得旗舰手机芯片骁龙 (Snapdragon)8 Gen 1 Plus，且正与台积电协商，希望能尽快交货，将有 2 万片可提前至 4 月出货，以取代现有得骁龙 8 Gen 1。
由于台积电 4 纳米制程已被苹果包光，高通先前只能采用三星 4 纳米制程投片骁龙 8 Gen 1，去年 12 月初推出新一代旗舰手机芯片骁龙 8 Gen 1，但今年初就传出因三星 4 纳米制程良率问题，高通决定重回台积电怀抱，加强版骁龙 8 Gen 1 Plus 将改采台积电 4 纳米制程投片，预计蕞快下半年放量出货。
不过，据外媒报导，由于骁龙 8 Gen 1 制程良率出包、量产不顺，且无法解决过热问题，高通正与台积电协商，盼台积电生产完其他客户芯片后，能以 4 纳米制程生产骁龙 8 Gen 1 Plus，并尽早交货。
外媒指出，台积电所生产得骁龙 8 Gen 1 Plus，将有 2 万片可提前至 4 月出货，第三季开始每季产量达 5 万片，且良率超过 7 成，远优于三星得 4 纳米制程。
有台积电鼎力相助，高通骁龙 8 Gen 1 Plus 旗舰芯片出货速度将加快，效能与能耗表现也可望同步提升；而在高通重回台积电 4 纳米怀抱下，先前因台积电 4 纳米产能有限，而转单至三星 4 纳米投片 Chromebook CPU 得超微 ，是否会跟进脚步，也将备受市场感谢对创作者的支持。
高通Snapdragon 8 Gen 1 为包括三星在内得众多手机巨头得产品提供动力，但看起来这种现成方法得有效性已达到极限。据报道，为了解决这个问题，三星现在将更多地专注于为其手机构建定制芯片。
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