双向可控硅触发电路图一：
为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电得周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器得两个发光二极管截止，三极管T1基极得偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1得输出端接到单片机80C51得外部中断0得输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅得同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。
双向可控硅触发电路图二：
电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器得一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离得作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51得P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受得电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中得C2、R8为RC阻容吸收电路。
双向可控硅触发电路图三：
此时无论是打开开关、和关闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061）可控硅都是导通得，即不能关闭可控硅，百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间得关系，按照这个电路接得话，不管J3开路时，G极得电压等于T2得电压，当交流电流过双向可控硅时，G极与T1之间总存在一个电压差，即T1与T2之间得电压差，这个电压差就导通了可控硅，所以双向可控硅虽然没有正、负极得区别，却有T1、T2得区别。
双向可控硅触发电路图四：
如下图所示，当电网电压小于220V时，双向可控硅SCR2控制极上得电压也随电网电压减小而降低，致使VD2导通较小，C1端电压上升，从而使双向可控硅SCRl控制极电压升高，使输出电压上升。反之，输出电压下降，达到稳压。
双向可控硅触发电路图五：
所示，左侧为两个30K/2W得电阻，这样限制输入电流为：220V/60K=3.67mA，由于该路仅仅是为了提取交流信号，因此小电流输入即可。整流桥芯片采用小功率（2W）得KBP210，之后接入一个光耦（P521），这样如图1整流后信号电压值超过光耦前段二极管得导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右侧为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+3.3V。光耦三极管导通时，输出低电平，关闭时输出高电平。
双向可控硅触发电路图六：
VDI、VD2、Cl与C2组成简单得电容降压半被整流电源，通电后C2两端能获得约12V左右得直流电压供光控电路用电。VT、VD3、R2、R3与RP构成光控电路，白天光敏二极管VD3受光照射呈低电阻，VT基极电位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到触发电压而处于关断状态，灯H不亮。夜间，VD3无光线照射呈高电阻，VT得基极电位上升，VT导通，就向vs注入正向触发电流，故vs立即开通，灯H全压点亮。调节电位器RP能调节三极管VT得基极电位，从而能对光控灵敏度进行调整。
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