芯片失效分析（FA测试）
芯片失效分析测试项目：
光学检查(VI/OM)；
扫描电镜检查(FIB/SEM)；
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；
微探针测试(Micro-probe)；
聚焦离子束微观分析(Dualbeam-FIB)；
弹坑试验(cratering)；
芯片开封(decap)；
芯片去层(delayer)；
晶格缺陷试验(化学法)；
PN结染色/码染色试验；
推拉力测试(WBP/WBS)；
红墨水试验；PCBA切片分析(X-section)；
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
芯片可靠性验证(RA)：
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；
温度循环试验(TC),JESD22-A104；
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；
高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；
芯片静电测试(ESD)：
人体放电模式测试(HBM),JS001；
元器件充放电模式测试(CDM),JS002；
闩锁测试(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；
SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)；
Raman(Raman光谱)；AFM(微观表面形貌分析、台阶测量)；
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更**、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
芯片测试业务咨询及技术交流：
